IRLML0030PBF-1 Todos los transistores

 

IRLML0030PBF-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLML0030PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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IRLML0030PBF-1 datasheet

 ..1. Size:207K  international rectifier
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IRLML0030PBF-1

IRLML0030PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS Max 20 V G 1 RDS(on) max 27 m 3 D (@VGS = 10V) RDS(on) max S 2 Micro3TM (SOT-23) 40 m (@VGS = 4.5V) Features Benefits Industry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally Friendlier M

 2.1. Size:200K  international rectifier
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IRLML0030PBF-1

PD - 96278B IRLML0030TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS Max 20 V G 1 RDS(on) max 27 m 3 D (@VGS = 10V) RDS(on) max S 2 Micro3TM (SOT-23) 40 m (@VGS = 4.5V) IRLML0030TRPbF Application(s) Load/ System Switch Features and Benefits Benefits Features Low RDS(on) ( 27m ) Lower switching losses Industry-standard pinout Multi-vendor compatibility Compati

 5.1. Size:191K  international rectifier
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IRLML0030PBF-1

PD - 96278B IRLML0030TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS Max 20 V G 1 RDS(on) max 27 m 3 D (@VGS = 10V) RDS(on) max S 2 Micro3TM (SOT-23) 40 m (@VGS = 4.5V) IRLML0030TRPbF Application(s) Load/ System Switch Features and Benefits Benefits Features Low RDS(on) ( 27m ) Lower switching losses Industry-standard pinout Multi-vendor compatibility Compati

 5.2. Size:162K  tysemi
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IRLML0030PBF-1

Product specification IRLML0030TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS Max 20 V G 1 RDS(on) max 27 m 3 D (@VGS = 10V) RDS(on) max S 2 Micro3TM (SOT-23) 40 m (@VGS = 4.5V) IRLML0030TRPbF Application(s) Load/ System Switch Features and Benefits Benefits Features Low RDS(on) ( 27m ) Lower switching losses Industry-standard pinout Multi-vendor compatibilit

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