IRFM340 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFM340 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFM340

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 92 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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IRFM340 datasheet

..1. Size:174K international rectifier
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PD - 90490D IRFM340 JANTX2N7221 JANTXV2N7221 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 THRU-HOLE (TO-254AA) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFM340 0.55 10A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- si

9.1. Size:514K international rectifier
irfm360.pdf pdf_icon

PD - 90712B IRFM360 POWER MOSFET 400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-254AA) Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM360 0.20 23A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- sistance combined with high transconductance. HEXFET T

9.2. Size:200K international rectifier
irfm350.pdf pdf_icon

PD - 90491D IRFM350 JANTX2N7227 JANTXV2N7227 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 THRU-HOLE (TO-254AA) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFM350 0.315 14A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- s

9.3. Size:18K semelab
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IRFM3205 MECHANICAL DATA N CHANNEL Dimensions in mm (inches) POWER MOSFET 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) Dia. VDSS 55V 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) ID(cont) 35A RDS(on) 0.015 FEATURES 1 2 3 N CHANNEL MOSFET HERMETIC ISOLATED TO-254 PACKAGE CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE OPTION 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) 3.81

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