IRLML2803GPBF Todos los transistores

 

IRLML2803GPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLML2803GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23 SOT346
 

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IRLML2803GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  international rectifier
 irlml2803gpbf.pdf pdf_icon

IRLML2803GPBF

PD - 96164AIRLML2803GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFET G 1VDSS = 30Vl SOT-23 Footprint3 Dl Low Profile (

 5.1. Size:252K  international rectifier
 irlml2803pbf.pdf pdf_icon

IRLML2803GPBF

IRLML2803PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFETG 1l SOT-23 FootprintVDSS = 30Vl Low Profile (

 5.2. Size:100K  international rectifier
 irlml2803.pdf pdf_icon

IRLML2803GPBF

PD - 9.1258CIRLML2803HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyD Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFETVDSS = 30V SOT-23 Footprint Low Profile (

 5.3. Size:241K  international rectifier
 irlml2803pbf-1 irlml5103pbf-1.pdf pdf_icon

IRLML2803GPBF

IRLML2803PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VRDS(on) max G 10.25 (@V = 10V)GSQg (typical) 3.3 nC 3 DID 1.2 AS 2(@T = 25C)AMicro3Features BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally FriendlierMSL1, Industr

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History: HFA20N50U | TK15H50C

 

 
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