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IRLML5103PBF-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLML5103PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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IRLML5103PBF-1 datasheet

 ..1. Size:241K  international rectifier
 irlml2803pbf-1 irlml5103pbf-1.pdf pdf_icon

IRLML5103PBF-1

IRLML2803PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max G 1 0.25 (@V = 10V) GS Qg (typical) 3.3 nC 3 D ID 1.2 A S 2 (@T = 25 C) A Micro3 Features Benefits Industry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally Friendlier MSL1, Industr

 2.1. Size:246K  international rectifier
 irlml5103pbf.pdf pdf_icon

IRLML5103PBF-1

IRLML5103PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET G 1 l SOT-23 Footprint VDSS = -30V l Low Profile (

 5.1. Size:107K  international rectifier
 irlml5103.pdf pdf_icon

IRLML5103PBF-1

PD - 9.1260D IRLML5103 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology D Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS = -30V SOT-23 Footprint Low Profile (

 5.2. Size:213K  international rectifier
 irlml5103gpbf.pdf pdf_icon

IRLML5103PBF-1

PD - 96165A IRLML5103GPbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance G 1 l P-Channel MOSFET VDSS = -30V l SOT-23 Footprint 3 D l Low Profile (

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History: NCE65NF130F | AUIRLR3410TRL | BF1101 | NCEP11N10AS

 

 
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