IRFM350 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFM350
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 190(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFM350

IRFM350 Datasheet (PDF)

..1. Size:200K international rectifier
irfm350.pdf

PD - 90491DIRFM350JANTX2N7227JANTXV2N7227POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM350 0.315 14AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s

9.1. Size:174K international rectifier
irfm340.pdf

PD - 90490DIRFM340JANTX2N7221JANTXV2N7221POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596THRU-HOLE (TO-254AA) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM340 0.55 10AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-si

9.2. Size:514K international rectifier
irfm360.pdf

PD - 90712BIRFM360POWER MOSFET 400V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM360 0.20 23AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET T

9.3. Size:18K semelab
irfm3205.pdf

IRFM3205MECHANICAL DATANCHANNELDimensions in mm (inches)POWER MOSFET13.59 (0.535) 6.32 (0.249)13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia. VDSS 55V3.78 (0.149) 1.27 (0.050)ID(cont) 35ARDS(on) 0.015FEATURES1 2 3 NCHANNEL MOSFET HERMETIC ISOLATED TO-254 PACKAGE CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEOPTION0.89 (0.035)1.14 (0.045)3.81

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Liste

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