IRFM350 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFM350

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm

Encapsulados: TO254AA

 Búsqueda de reemplazo de IRFM350 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFM350 datasheet

 ..1. Size:200K  international rectifier
 irfm350.pdf pdf_icon

IRFM350

PD - 90491D IRFM350 JANTX2N7227 JANTXV2N7227 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 THRU-HOLE (TO-254AA) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFM350 0.315 14A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- s

 9.1. Size:174K  international rectifier
 irfm340.pdf pdf_icon

IRFM350

PD - 90490D IRFM340 JANTX2N7221 JANTXV2N7221 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 THRU-HOLE (TO-254AA) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFM340 0.55 10A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- si

 9.2. Size:514K  international rectifier
 irfm360.pdf pdf_icon

IRFM350

PD - 90712B IRFM360 POWER MOSFET 400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-254AA) Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM360 0.20 23A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- sistance combined with high transconductance. HEXFET T

 9.3. Size:18K  semelab
 irfm3205.pdf pdf_icon

IRFM350

IRFM3205 MECHANICAL DATA N CHANNEL Dimensions in mm (inches) POWER MOSFET 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) Dia. VDSS 55V 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) ID(cont) 35A RDS(on) 0.015 FEATURES 1 2 3 N CHANNEL MOSFET HERMETIC ISOLATED TO-254 PACKAGE CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE OPTION 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) 3.81

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFM150, IRFM210A, IRFM214A, IRFM220A, IRFM224A, IRFM240, IRFM250, IRFM340, IRF1010E, IRFM360, IRFM440, IRFM460, IRFM9140, IRFM9240, IRFN044, IRFN054, IRFN130