IRLML6344TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLML6344TRPBF
   Código: U*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLML6344TRPBF

IRLML6344TRPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:205K international rectifier
irlml6344trpbf.pdf

IRLML6344TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VG 1VGS Max 12 VRDS(on) max 3 D29 m(@VGS = 4.5V)S 2Micro3TM (SOT-23)RDS(on) max 37 m IRLML6344TRPbF(@VGS = 2.5V)Application(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsLow RDSon (

..2. Size:205K infineon
irlml6344trpbf.pdf

3.1. Size:837K cn vbsemi
irlml6344tr.pdf

IRLML6344TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

5.1. Size:221K international rectifier
irlml6344pbf.pdf

5.2. Size:145K tysemi
irlml6344.pdf

Product specificationIRLML6344TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VG 1VGS Max 12 VRDS(on) max 3 D29 m(@VGS = 4.5V)S 2Micro3TM (SOT-23)RDS(on) max 37 m IRLML6344TRPbF(@VGS = 2.5V)Application(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsLow RDSon (

5.3. Size:1507K cn vbsemi
irlml6344gt.pdf

IRLML6344GTwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: