IRLHM620PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLHM620PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Encapsulados: DFN3.3X3.3
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IRLHM620PBF datasheet
irlhm620pbf.pdf
PD - 97565A IRLHM620PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V VGS max 12 V D 5 4 G RDS(on) max 2.5 m D 6 3 S (@VGS = 4.5V) D 7 2 S RDS(on) max D 8 1 S 3.5 m (@VGS = 2.5V) 3.3mm x 3.3mm PQFN Qg (typical) 52 nC ID 40 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features and Benefi
irlhm630trpbf.pdf
IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m (@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 A PQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (
irlhm630pbf.pdf
IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m (@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 A PQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (
Otros transistores... IRLML6401GPBF , IRLML6401PBF , IRLML6401PBF-1 , IRLML6402GPBF , IRLML6402PBF , IRLML6402PBF-1 , IRLML9301TRPBF , IRLML9303TRPBF , IRFB7545 , IRLHM630PBF , IRLHS2242PBF , IRLHS6242PBF , IRLHS6276PBF , IRLHS6342PBF , IRLHS6376PBF , IRLH5030PBF , IRLH5034PBF .
History: IRLML9303TRPBF | APM4906K
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