IRFM440 Todos los transistores

 

IRFM440 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFM440
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68.5(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 73(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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IRFM440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  international rectifier
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IRFM440

PD - 90492DIRFM440JANTX2N7222JANTXV2N7222POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596THRU-HOLE (TO-254AA) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM440 0.85 8.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s

 ..2. Size:226K  international rectifier
 2n7222 2n7222 irfm440.pdf pdf_icon

IRFM440

 9.1. Size:179K  international rectifier
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IRFM440

PD - 90493FIRFM450JANTX2N7228JANTXV2N7228POWER MOSFETREF: MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA)500V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM450 0.415 12AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s

 9.2. Size:204K  international rectifier
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IRFM440

PD - 90727BIRFM460POWER MOSFET 500V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM460 0.27 19AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

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History: FQD19N10 | VMM1500-0075X2

 

 
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