IRFM440 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFM440
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de IRFM440 MOSFET
IRFM440 Datasheet (PDF)
irfm440.pdf
PD - 90492DIRFM440JANTX2N7222JANTXV2N7222POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596THRU-HOLE (TO-254AA) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM440 0.85 8.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s
irfm450.pdf
PD - 90493FIRFM450JANTX2N7228JANTXV2N7228POWER MOSFETREF: MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA)500V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM450 0.415 12AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s
irfm460.pdf
PD - 90727BIRFM460POWER MOSFET 500V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM460 0.27 19AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET
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History: STP20NE06L | STP13NK60ZFP | STP200NF03 | NP109N055PUK | IRFM350 | CED21A2 | STP140NF75
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