IRLH5036PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLH5036PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
Encapsulados: PQFN5X6-8L
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IRLH5036PBF datasheet
irlh5036pbf.pdf
IRLH5036PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 5.5 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 44 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (
irlh5034pbf.pdf
IRLH5034PbF HEXFET Power MOSFET VDS 40 V RDS(on) max 3.2 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 43 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features Benefits Low RDSon ( 3.2m @ Vgs = 4.5V ) Lower Conduction Losses Low The
irlh5030pbf.pdf
IRLH5030PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 9.9 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 44 nC RG (typical) 1.2 ID 88 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Benefits Features Low RDSon ( 9.0m ) Lower Conduction Losses Low Thermal Resistance t
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