IRLH7134PBF Todos los transistores

 

IRLH7134PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLH7134PBF

Código: 7134

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Tiempo de elevación (tr): 75 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 610 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0033 Ohm

Empaquetado / Estuche: PQFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLH7134PBF

 

 

IRLH7134PBF Datasheet (PDF)

1.1. irlh7134pbf.pdf Size:236K _international_rectifier

IRLH7134PBF
IRLH7134PBF

IRLH7134PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 40 V RDS(on) max 3.3 mΩ (@VGS = 10V) Qg (typical) 39 nC ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) PQFN 5X6 mm Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (≤4.7mW @ VGS = 4.5V ) Lower Conduction Losses Lo

Otros transistores... PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , IRFBC40 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 .

Back to Top

 


IRLH7134PBF
  IRLH7134PBF
  IRLH7134PBF
  IRLH7134PBF
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: QS8M51 | QS8M13 | QS8M11 | QS8K21 | QS8K2 | QS8K13 | QS8K11 | QS8J5 | QS8J4 | QS8J2 | QS8J13 | QS8J12 | QS8J11 | QS8F2 | QS6U24 |

 

 

Back to Top