IRLH7134PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLH7134PBF
Código: 7134
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 3.6 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V
Corriente continua de drenaje (Id): 26 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Tiempo de elevación (tr): 75 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 610 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0033 Ohm
Empaquetado / Estuche: PQFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLH7134PBF
IRLH7134PBF Datasheet (PDF)
1.1. irlh7134pbf.pdf 
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IRLH7134PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 40 V RDS(on) max 3.3 mΩ (@VGS = 10V) Qg (typical) 39 nC ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) PQFN 5X6 mm Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (≤4.7mW @ VGS = 4.5V ) Lower Conduction Losses Lo
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