IRLH7134PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLH7134PBF

Código: 7134

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Tiempo de elevación (tr): 75 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 610 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0033 Ohm

Empaquetado / Estuche: PQFN5X6-8L

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IRLH7134PBF Datasheet (PDF)

1.1. irlh7134pbf.pdf Size:236K _international_rectifier

IRLH7134PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 40 V RDS(on) max 3.3 mΩ (@VGS = 10V) Qg (typical) 39 nC ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) PQFN 5X6 mm Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (≤4.7mW @ VGS = 4.5V ) Lower Conduction Losses Lo

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Liste

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