IRFM460 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFM460

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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IRFM460 datasheet

 ..1. Size:204K  international rectifier
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IRFM460

PD - 90727B IRFM460 POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-254AA) Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM460 0.27 19A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.1. Size:172K  international rectifier
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IRFM460

PD - 90492D IRFM440 JANTX2N7222 JANTXV2N7222 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 THRU-HOLE (TO-254AA) 500V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFM440 0.85 8.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- s

 9.2. Size:179K  international rectifier
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IRFM460

PD - 90493F IRFM450 JANTX2N7228 JANTXV2N7228 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 THRU-HOLE (TO-254AA) 500V, N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM450 0.415 12A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- s

 9.3. Size:226K  international rectifier
 2n7222 2n7222 irfm440.pdf pdf_icon

IRFM460

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