IRFM9140 Todos los transistores

 

IRFM9140 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFM9140
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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IRFM9140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  international rectifier
 irfm9140.pdf pdf_icon

IRFM9140

PD - 90495EIRFM9140JANTX2N7236JANTXV2N7236REF:MIL-PRF-19500/595POWER MOSFET 100V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFM9140 0.20 -18AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-254AAefficient geometry design achieves very low on-

 9.1. Size:195K  international rectifier
 irfm9240.pdf pdf_icon

IRFM9140

PD - 90497EIRFM9240JANTX2N7237JANTXV2N7237REF:MIL-PRF-19500/595POWER MOSFET 200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFM9240 0.51 -11AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-254AAefficient geometry design achieves very low on-

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