IRFM9140 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFM9140

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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IRFM9140 datasheet

 ..1. Size:205K  international rectifier
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IRFM9140

PD - 90495E IRFM9140 JANTX2N7236 JANTXV2N7236 REF MIL-PRF-19500/595 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM9140 0.20 -18A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-254AA efficient geometry design achieves very low on-

 9.1. Size:195K  international rectifier
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IRFM9140

PD - 90497E IRFM9240 JANTX2N7237 JANTXV2N7237 REF MIL-PRF-19500/595 POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM9240 0.51 -11A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-254AA efficient geometry design achieves very low on-

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