IRFI540GPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFI540GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFI540GPBF

IRFI540GPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:2156K international rectifier
irfi540gpbf.pdf

PD - 94942IRFI540GPbF Lead-Free1/13/04Document Number: 91144 www.vishay.com1IRFI540GPbFDocument Number: 91144 www.vishay.com2IRFI540GPbFDocument Number: 91144 www.vishay.com3IRFI540GPbFDocument Number: 91144 www.vishay.com4IRFI540GPbFDocument Number: 91144 www.vishay.com5IRFI540GPbFDocument Number: 91144 www.vishay.com6IRFI540GPbFTO-220 Full-

..2. Size:1475K vishay
irfi540g irfi540gpbf sihfi540g.pdf

IRFI540G, SiHFI540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.077 f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 72COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 32 Low T

..3. Size:1476K cn vbsemi
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IRFI540GPBFwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.034 at VGS = 10 V10050aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDTO-220 FULLPAKGSSDGN-Channel MOSFETABSOLUTE MA

6.1. Size:175K international rectifier
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6.2. Size:1473K vishay
irfi540g sihfi540g.pdf

6.3. Size:275K inchange semiconductor
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iscN-Channel MOSFET Transistor IRFI540GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.077 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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