IRFI9630GPBF Todos los transistores

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IRFI9630GPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI9630GPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 27 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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IRFI9630GPBF Datasheet (PDF)

1.1. irfi9630gpbf.pdf Size:1550K _upd

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IRFI9630G, SiHFI9630G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Isolated Package VDS (V) - 200 • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, Available f = 60 Hz) RDS(on) (Ω)VGS = - 10 V 0.80 RoHS* • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 29 COMPLIANT • P-Channel Qgs (nC) 5.4 • Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 15 • Low Thermal Resist

1.2. irfi9630g.pdf Size:924K _international_rectifier

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PD - 94851 IRFI9630GPbF Lead-Free 11/07/03 Document Number: 91167 www.vishay.com 1 IRFI9630GPbF Document Number: 91167 www.vishay.com 2 IRFI9630GPbF Document Number: 91167 www.vishay.com 3 IRFI9630GPbF Document Number: 91167 www.vishay.com 4 IRFI9630GPbF Document Number: 91167 www.vishay.com 5 IRFI9630GPbF Document Number: 91167 www.vishay.com 6 IRFI9630GPbF TO-220 Fu

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IRFI9630G, SiHFI9630G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, Available f = 60 Hz) RDS(on) (?)VGS = - 10 V 0.80 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 29 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 5.4 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 15 Low Thermal Resistance Configurat

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