IRFIB5N50LPBF Todos los transistores

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IRFIB5N50LPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFIB5N50LPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 17 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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IRFIB5N50LPBF Datasheet (PDF)

1.1. irfib5n50lpbf.pdf Size:806K _upd

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IRFIB5N50L, SiHFIB5N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Super Fast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 500 External Diodes in ZVS Applications RoHS RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.67 COMPLIANT • Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Qg (Max.) (nC) 45 Reqirements Qgs (nC) 13 Qgd (nC) 23 • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

1.2. irfib5n50l.pdf Size:517K _international_rectifier

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PD - 94522 SMPS MOSFET IRFIB5N50L HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) typ. Trr typ. ID l Switch Mode Power Supply (SMPS) 500V 0.67? 73ns 4.7A l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Motor Drive Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness TO-220 Full-Pak l Fully Characteriz

 1.3. irfib5n50lpbf.pdf Size:197K _international_rectifier

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PD - 95390 IRFIB5N50LPbF SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET Applications Zero Voltage Switching SMPS Trr typ. VDSS RDS(on) typ. ID Telecom and Server Power Supplies 500V 0.67? 73ns 4.7A Uninterruptible Power Supplies Motor Control applications Lead-Free Features and Benefits SuperFast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications. Lower Gate cha

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