IRFN150 Todos los transistores

 

IRFN150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFN150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 125(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
 

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IRFN150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  international rectifier
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IRFN150

PD - 91547CIRFN150JANTX2N7224UJANTXV2N7224UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN150 0.07 34AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 0.1. Size:22K  semelab
irfn150smd.pdf pdf_icon

IRFN150

IRFN150SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 19A RDS(on) 0.070FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.1. Size:183K  international rectifier
irfn140.pdf pdf_icon

IRFN150

PD - 91546CIRFN140JANTX2N7218UJANTXV2N7218UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN140 0.077 28AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:21K  semelab
irfn130smd.pdf pdf_icon

IRFN150

IRFN130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS 100VID(cont) 11ARDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTSSMD1 LIGHTWEIGHTPad 1 Source Pad 2 Drain Pad 3 Gate SCREENING OPTIONS AV

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History: ZVN4310A

 

 
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