IRL7472L1TRPBF Todos los transistores

 

IRL7472L1TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRL7472L1TRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 564 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 220 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 176 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2436 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00059 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 

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IRL7472L1TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  international rectifier
 irl7472l1trpbf.pdf pdf_icon

IRL7472L1TRPBF

StrongIRFET IRL7472L1TRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 0.34m Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications max Resonant mode power supplies 0.59m@

 9.1. Size:507K  international rectifier
 irl7486mtrpbf.pdf pdf_icon

IRL7472L1TRPBF

StrongIRFET IRL7486MTRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.0m Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications max Resonant mode power supplies 1.25m@ VGS

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History: IRFL014PBF | IRHQ9110

 

 
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