IRL640SPBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRL640SPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRL640SPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO263

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IRL640SPBF datasheet

..1. Size:986K international rectifier
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PD- 95585 IRL640SPbF Lead-Free 07/20/04 Document Number 91306 www.vishay.com 1 IRL640SPbF Document Number 91306 www.vishay.com 2 IRL640SPbF Document Number 91306 www.vishay.com 3 IRL640SPbF Document Number 91306 www.vishay.com 4 IRL640SPbF Document Number 91306 www.vishay.com 5 IRL640SPbF Document Number 91306 www.vishay.com 6 IRL640SPbF Peak Diode Recovery

7.1. Size:263K international rectifier
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7.2. Size:915K vishay
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IRL640S, SiHL640S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.18 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 66 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 9.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 38 RDS(on) Specified at VGS = 4 V a

8.1. Size:247K international rectifier
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