IRFN340 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFN340
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 92(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: SMD1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFN340
IRFN340 Datasheet (PDF)
irfn340.pdf
PD - 91550CIRFN340JANTX2N7221UJANTXV2N7221UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN340 0.55 10AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-
irfn340smd.pdf
IRFN340SMDMECHANICAL DATANCHANNELDimensions in mm (inches)POWER MOSFET BVDSS 400V ID(cont) 10ARDS(on) 0.55 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
irfn350.pdf
PD - 91551CIRFN350JANTX2N7227UJANTXV2N7227UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN350 0.315 14AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-
irfn3710.pdf
IRFN3710MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 45A RDS(on) 0.028FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
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Liste
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