IRL5Y7413CM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRL5Y7413CM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: TO257AA
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IRL5Y7413CM datasheet
irl5y7413cm.pdf
PD - 94164A HEXFET POWER MOSFET IRL5Y7413CM THRU-HOLE (TO-257AA) 30V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y7413CM 30V 0.025 18A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features
irl5y024cm.pdf
PD - 94018A HEXFET POWER MOSFET IRL5Y024CM THRU-HOLE (TO-257AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5Y024CM 55V 0.069 17A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the f
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History: NCE80T560D
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Liste
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