IRFN350 Todos los transistores

 

IRFN350 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFN350
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 190(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
 

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IRFN350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irfn350.pdf pdf_icon

IRFN350

PD - 91551CIRFN350JANTX2N7227UJANTXV2N7227UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN350 0.315 14AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:159K  international rectifier
 irfn340.pdf pdf_icon

IRFN350

PD - 91550CIRFN340JANTX2N7221UJANTXV2N7221UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN340 0.55 10AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:23K  semelab
 irfn340smd.pdf pdf_icon

IRFN350

IRFN340SMDMECHANICAL DATANCHANNELDimensions in mm (inches)POWER MOSFET BVDSS 400V ID(cont) 10ARDS(on) 0.55 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.3. Size:38K  semelab
 irfn3710.pdf pdf_icon

IRFN350

IRFN3710MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 45A RDS(on) 0.028FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

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