IRFN350 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFN350
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
Paquete / Cubierta: SMD1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFN350
IRFN350 Datasheet (PDF)
irfn350.pdf
PD - 91551CIRFN350JANTX2N7227UJANTXV2N7227UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN350 0.315 14AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-
irfn340.pdf
PD - 91550CIRFN340JANTX2N7221UJANTXV2N7221UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN340 0.55 10AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-
irfn340smd.pdf
IRFN340SMDMECHANICAL DATANCHANNELDimensions in mm (inches)POWER MOSFET BVDSS 400V ID(cont) 10ARDS(on) 0.55 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
irfn3710.pdf
IRFN3710MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 45A RDS(on) 0.028FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
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Liste
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