IRFN350 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFN350

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm

Encapsulados: SMD1

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IRFN350 datasheet

 ..1. Size:182K  international rectifier
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IRFN350

PD - 91551C IRFN350 JANTX2N7227U JANTXV2N7227U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN350 0.315 14A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:159K  international rectifier
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IRFN350

PD - 91550C IRFN340 JANTX2N7221U JANTXV2N7221U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN340 0.55 10A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

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IRFN350

IRFN340SMD MECHANICAL DATA N CHANNEL Dimensions in mm (inches) POWER MOSFET BVDSS 400V ID(cont) 10A RDS(on) 0.55 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.3. Size:38K  semelab
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IRFN350

IRFN3710 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 45A RDS(on) 0.028 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

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