IRL540NPBF Todos los transistores

 

IRL540NPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRL540NPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRL540NPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1046K  international rectifier
 irl540npbf.pdf pdf_icon

IRL540NPBF

PD - 94997IRL540NPbFHEXFET Power MOSFET Lead-Freewww.irf.com 12/10/04IRL540NPbF2 www.irf.comIRL540NPbFwww.irf.com 3IRL540NPbF4 www.irf.comIRL540NPbFwww.irf.com 5IRL540NPbF6 www.irf.comIRL540NPbFwww.irf.com 7IRL540NPbFTO-220AB Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)10.54 (.415) - B -3.78 (.149)10.29 (.405)2.87 (.113) 4

 7.1. Size:132K  international rectifier
 irl540n.pdf pdf_icon

IRL540NPBF

PD - 91495AIRL540NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.044 Fast Switching G Fully Avalanche RatedID = 36ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per

 7.2. Size:914K  international rectifier
 irl540nspbf irl540nlpbf.pdf pdf_icon

IRL540NPBF

PD- 95234IRL540NS/LPbF Lead-Freewww.irf.com 105/04/04IRL540NS/LPbF2 www.irf.comIRL540NS/LPbFwww.irf.com 3IRL540NS/LPbF4 www.irf.comIRL540NS/LPbFwww.irf.com 5IRL540NS/LPbF6 www.irf.comIRL540NS/LPbFwww.irf.com 7IRL540NS/LPbFD2Pak Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D2Pak Part Marking Information (Lead-Free)T H IS IS AN IR

 7.3. Size:182K  international rectifier
 irl540ns irl540nl.pdf pdf_icon

IRL540NPBF

PD -91535IRL540NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRL540NS)VDSS = 100V Low-profile through-hole (IRL540NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.044 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 36ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low

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History: STS1DN45K3 | STP8NK80ZFP | STP85NF55L | STS1DNC45

 

 
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