IRL3714LPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRL3714LPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
- Selección de transistores por parámetros
IRL3714LPBF Datasheet (PDF)
irl3714pbf irl3714lpbf irl3714spbf.pdf
PD - 95580IRL3714PbFSMPS MOSFETIRL3714SPbFIRL3714LPbFApplicationsl High Frequency Isolated DC-DCHEXFET Power MOSFET Converters with Synchronous RectificationVDSS RDS(on) max ID for Telecom and Industrial Usel High Frequency Buck Converters for 20V 20m 36AComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Fu
irl3714 irl3714l irl3714s.pdf
PD - 94175AIRL3714SMPS MOSFETIRL3714SIRL3714LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification 20V 20m 36A for Telecom and Industrial Use High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerBenefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalan
irl3714z irl3714zl irl3714zs.pdf
PD - 94798IRL3714ZIRL3714ZSIRL3714ZLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power20V 16m: 4.8nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220ABD2Pak TO-262IRL3714ZIRL3714ZS IRL3714ZLAbsolute Maximum RatingsPa
irl3714zpbf irl3714zlpbf irl3714zspbf.pdf
PD - 95661IRL3714ZPbFIRL3714ZSPbFIRL3714ZLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl Lead-Free20V 16m 4.8nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220AB D2Pak TO-262IRL3714Z IRL3714ZS IRL3714ZLAbsolute
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: 2SK1279
History: 2SK1279
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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