IRL3705ZSPBF Todos los transistores

 

IRL3705ZSPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRL3705ZSPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO263

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IRL3705ZSPBF datasheet

 ..1. Size:377K  international rectifier
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IRL3705ZSPBF

PD - 95579A IRL3705ZPbF IRL3705ZSPbF Features IRL3705ZLPbF l Logic Level HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 8.0m G l Lead-Free Description ID = 75A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniqu

 5.1. Size:378K  international rectifier
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IRL3705ZSPBF

PD - 96345 AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUIRL3705ZL Features HEXFET Power MOSFET l Logic Level V(BR)DSS 55V D l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 6.5m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max. 8.0m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 86A l Lead-Free, RoHS Compliant S l Automotiv

 5.2. Size:759K  infineon
 auirl3705z auirl3705zs auirl3705zl.pdf pdf_icon

IRL3705ZSPBF

AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705ZL HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Logic Level Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.5m Ultra Low On-Resistance max. 8.0m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 86A Fast Switching ID (Package Limited) 75A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Le

 5.3. Size:258K  inchange semiconductor
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IRL3705ZSPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705ZS FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

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History: IRFSL4615PBF

 

 

 

 

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