IRFN9140SMD Todos los transistores

 

IRFN9140SMD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFN9140SMD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
 

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IRFN9140SMD datasheet

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IRFN9140SMD

IRFN9140SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 14A RDS(on) 0.020 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 6.1. Size:171K  international rectifier
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IRFN9140SMD

PD - 91553D IRFN9140 JANTX2N7236U JANTXV2N7236U REF MIL-PRF-19500/595 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL SURFACE MOUNT(SMD-1) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFN9140 0.20 -18A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The SMD-1 efficient geometry design achieves very low on-s

 8.1. Size:21K  1
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IRFN9140SMD

IRFN9130SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -9.3A RDS(on) 0.31 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 8.2. Size:21K  1
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IRFN9140SMD

IRFN9130 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -11A RDS(on) 0.3 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE

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History: AM20P06-135 | PTA26N65 | SST309 | NCE1550 | JMSL1005PK

 

 
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