IRHY9130CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHY9130CM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO257AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHY9130CM
IRHY9130CM Datasheet (PDF)
irhy7230cm irhy9130cm irhy9230cm.pdf
The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision INCH-POUND shall be completed by 1 June 2014. MIL-PRF-19500/615G 1 April 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/615F 10 July 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTORS, P-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7382 AND 2N7383, JANTXV M, D,
irhy9130cm.pdf
PD - 91400BIRHY9130CMRADIATION HARDENED JANSR2N7382100V, P-CHANNELPOWER MOSFETREF: MIL-PRF-19500/615THRU-HOLE (TO-257AA)RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part NumberIRHY9130CM 100K Rads (Si) 0.30 -11A JANSR2N7382IRHY93130CM 300K Rads (Si) 0.30 -11A JANSF2N7382TO-257AAInternational Rectifiers RADHard HEX
irhy9230cm.pdf
PD-91401IRHY9230CMJANSR2N7383200V, P-CHANNEL RADIATION HARDENEDREF: MIL-PRF-19500/615 POWER MOSFETRAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHY9230CM 100K Rads (Si) 0.8 -6.5A JANSR2N7383 IRHY93230CM 300K Rads (Si) 0.8 -6.5A JANSF2N7383 TO-257AAInternational Rectifiers RAD-Har
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History: BUK7830-30
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Liste
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