IRHM57160 Todos los transistores

 

IRHM57160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHM57160
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1583 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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IRHM57160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  international rectifier
 irhm57160.pdf pdf_icon

IRHM57160

PD-93784GRADIATION HARDENED IRHM57160POWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHM53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHM54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHM58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A*TO-254AAFeatures:International Rectifiers R5T

 8.1. Size:171K  international rectifier
 irhm57064.pdf pdf_icon

IRHM57160

PD-93792ERADIATION HARDENED IRHM57064POWER MOSFET60V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57064 100K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM53064 300K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM54064 600K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM58064 1000K Rads (Si) 0.013 35A*TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology

 8.2. Size:111K  international rectifier
 irhm57260.pdf pdf_icon

IRHM57160

PD - 91862DRADIATION HARDENED IRHM57260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELTECHNOLOGY44THRU-HOLE (TO-254AA) #cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260 100K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM53260 300K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM54260 600K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM58260 1000K Rads (Si) 0.050 35A*TO-254AAFeatures:International Rectifiers R5TM

 8.3. Size:181K  international rectifier
 irhm57260se.pdf pdf_icon

IRHM57160

PD - 93880CRADIATION HARDENED IRHM57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardenedapplications. T

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History: AM10P20-1400D | HRLFS136N10P | HY3210PM | WMM07N100C2 | FDP020N06B

 

 
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