IRHM57264SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHM57264SE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de IRHM57264SE MOSFET
IRHM57264SE Datasheet (PDF)
irhm57264se.pdf

PD-93798BRADIATION HARDENED IRHM57264SEPOWER MOSFET250V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57264SE 100K Rads (Si) 0.066 35A* TO-254International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applications. These devices have been char
irhm57260.pdf

PD - 91862DRADIATION HARDENED IRHM57260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELTECHNOLOGY44THRU-HOLE (TO-254AA) #cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260 100K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM53260 300K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM54260 600K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM58260 1000K Rads (Si) 0.050 35A*TO-254AAFeatures:International Rectifiers R5TM
irhm57260se.pdf

PD - 93880CRADIATION HARDENED IRHM57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardenedapplications. T
irhm57064.pdf

PD-93792ERADIATION HARDENED IRHM57064POWER MOSFET60V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57064 100K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM53064 300K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM54064 600K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM58064 1000K Rads (Si) 0.013 35A*TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology
Otros transistores... IRHN9130 , IRHN9150 , IRHN9230 , IRHN9250 , IRHM57064 , IRHM57160 , IRHM57260 , IRHM57260SE , AO4407 , IRHM57Z60 , IRHM7054 , IRHM7064 , IRHM7130 , IRHM7150 , IRHM7160 , IRHM7230 , IRHM7250 .
History: HPP120N08STA | IPP80N06S2-07 | HFB1N65S | 2SJ419 | 2SK1762 | 2SK785 | IPAN60R180P7S
History: HPP120N08STA | IPP80N06S2-07 | HFB1N65S | 2SJ419 | 2SK1762 | 2SK785 | IPAN60R180P7S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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