IRHMB57260SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHMB57260SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHMB57260SE

IRHMB57260SE Datasheet (PDF)

..1. Size:188K international rectifier
irhmb57260se.pdf

PD-96971RADIATION HARDENED IRHMB57260SEPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57260SE 100K Rads (Si) 0.044 45A Low-Ohmic TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applications. These

7.1. Size:177K international rectifier
irhmb57064.pdf

PD-96972RADIATION HARDENED IRHMB57064POWER MOSFET 60V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57064 100K Rads (Si) 0.006 45A* IRHMB53064 300K Rads (Si) 0.006 45A* IRHMB54064 600K Rads (Si) 0.006 45A*Tabless IRHMB58064 1000K Rads (Si) 0.006 45A*Low-OhmicTO-254AAI

7.2. Size:172K international rectifier
irhmb57z60.pdf

PD-96973RADIATION HARDENED IRHMB57Z60POWER MOSFET 30V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57Z60 100K Rads (Si) 0.0045 45A* IRHMB53Z60 300K Rads (Si) 0.0045 45A* IRHMB54Z60 600K Rads (Si) 0.0045 45A*Tabless IRHMB58Z60 1000K Rads (Si) 0.0045 45A*Low-OhmicTO-254A

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Liste

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