IRHMB57260SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHMB57260SE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
- Selección de transistores por parámetros
IRHMB57260SE Datasheet (PDF)
irhmb57260se.pdf

PD-96971RADIATION HARDENED IRHMB57260SEPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57260SE 100K Rads (Si) 0.044 45A Low-Ohmic TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applications. These
irhmb57064.pdf

PD-96972RADIATION HARDENED IRHMB57064POWER MOSFET 60V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57064 100K Rads (Si) 0.006 45A* IRHMB53064 300K Rads (Si) 0.006 45A* IRHMB54064 600K Rads (Si) 0.006 45A*Tabless IRHMB58064 1000K Rads (Si) 0.006 45A*Low-OhmicTO-254AAI
irhmb57z60.pdf

PD-96973RADIATION HARDENED IRHMB57Z60POWER MOSFET 30V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57Z60 100K Rads (Si) 0.0045 45A* IRHMB53Z60 300K Rads (Si) 0.0045 45A* IRHMB54Z60 600K Rads (Si) 0.0045 45A*Tabless IRHMB58Z60 1000K Rads (Si) 0.0045 45A*Low-OhmicTO-254A
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STP33N65M2 | STP55N06L | RFL1N10L
History: STP33N65M2 | STP55N06L | RFL1N10L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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