IRHMB57Z60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHMB57Z60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 175 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4334 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHMB57Z60
IRHMB57Z60 Datasheet (PDF)
irhmb57z60.pdf
PD-96973RADIATION HARDENED IRHMB57Z60POWER MOSFET 30V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57Z60 100K Rads (Si) 0.0045 45A* IRHMB53Z60 300K Rads (Si) 0.0045 45A* IRHMB54Z60 600K Rads (Si) 0.0045 45A*Tabless IRHMB58Z60 1000K Rads (Si) 0.0045 45A*Low-OhmicTO-254A
irhmb57064.pdf
PD-96972RADIATION HARDENED IRHMB57064POWER MOSFET 60V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57064 100K Rads (Si) 0.006 45A* IRHMB53064 300K Rads (Si) 0.006 45A* IRHMB54064 600K Rads (Si) 0.006 45A*Tabless IRHMB58064 1000K Rads (Si) 0.006 45A*Low-OhmicTO-254AAI
irhmb57260se.pdf
PD-96971RADIATION HARDENED IRHMB57260SEPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMB57260SE 100K Rads (Si) 0.044 45A Low-Ohmic TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applications. These
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Liste
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