IRHMK57160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHMK57160
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHMK57160

IRHMK57160 Datasheet (PDF)

..1. Size:175K international rectifier
irhmk57160.pdf

PD-97415RADIATION HARDENED IRHMK57160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELTECHNOLOGYSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA)55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK57160 100K Rads (Si) 0.013 45A* IRHMK53160 300K Rads (Si) 0.013 45A* IRHMK54160 500K Rads (Si) 0.013 45A*Low-Ohmic IRHMK58160 1000K Rads (Si) 0.013 45A*TO-254AA TablessIntern

7.1. Size:187K international rectifier
irhmk57260se.pdf

PD-96915RADIATION HARDENED IRHMK57260SEPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK57260SE 100K Rads (Si) 0.044 45A Low-Ohmic TO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applica

8.1. Size:175K international rectifier
irhmk597160.pdf

PD-96912ARADIATION HARDENED IRHMK597160POWER MOSFET 100V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK597160 100K Rads (Si) 0.05 -45A* IRHMK593160 300K Rads (Si) 0.05 -45A*Low-OhmicTO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs

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