IRHMK57160 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHMK57160

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1620 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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IRHMK57160 datasheet

 ..1. Size:175K  international rectifier
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IRHMK57160

PD-97415 RADIATION HARDENED IRHMK57160 POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK57160 100K Rads (Si) 0.013 45A* IRHMK53160 300K Rads (Si) 0.013 45A* IRHMK54160 500K Rads (Si) 0.013 45A* Low-Ohmic IRHMK58160 1000K Rads (Si) 0.013 45A* TO-254AA Tabless Intern

 7.1. Size:187K  international rectifier
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IRHMK57160

PD-96915 RADIATION HARDENED IRHMK57260SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK57260SE 100K Rads (Si) 0.044 45A Low-Ohmic TO-254AA Tabless International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Low RDS(on) applica

 8.1. Size:175K  international rectifier
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IRHMK57160

PD-96912A RADIATION HARDENED IRHMK597160 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL SURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK597160 100K Rads (Si) 0.05 -45A* IRHMK593160 300K Rads (Si) 0.05 -45A* Low-Ohmic TO-254AA Tabless International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs

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