IRHMK57260SE Todos los transistores

 

IRHMK57260SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHMK57260SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRHMK57260SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  international rectifier
 irhmk57260se.pdf pdf_icon

IRHMK57260SE

PD-96915RADIATION HARDENED IRHMK57260SEPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK57260SE 100K Rads (Si) 0.044 45A Low-Ohmic TO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applica

 7.1. Size:175K  international rectifier
 irhmk57160.pdf pdf_icon

IRHMK57260SE

PD-97415RADIATION HARDENED IRHMK57160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELTECHNOLOGYSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA)55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK57160 100K Rads (Si) 0.013 45A* IRHMK53160 300K Rads (Si) 0.013 45A* IRHMK54160 500K Rads (Si) 0.013 45A*Low-Ohmic IRHMK58160 1000K Rads (Si) 0.013 45A*TO-254AA TablessIntern

 8.1. Size:175K  international rectifier
 irhmk597160.pdf pdf_icon

IRHMK57260SE

PD-96912ARADIATION HARDENED IRHMK597160POWER MOSFET 100V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK597160 100K Rads (Si) 0.05 -45A* IRHMK593160 300K Rads (Si) 0.05 -45A*Low-OhmicTO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SRM7N60 | 2SK2890-01

 

 
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