IRHMK597160 Todos los transistores

 

IRHMK597160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHMK597160
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1574 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

 Búsqueda de reemplazo de IRHMK597160 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRHMK597160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  international rectifier
 irhmk597160.pdf pdf_icon

IRHMK597160

PD-96912ARADIATION HARDENED IRHMK597160POWER MOSFET 100V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK597160 100K Rads (Si) 0.05 -45A* IRHMK593160 300K Rads (Si) 0.05 -45A*Low-OhmicTO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs

 8.1. Size:187K  international rectifier
 irhmk57260se.pdf pdf_icon

IRHMK597160

PD-96915RADIATION HARDENED IRHMK57260SEPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK57260SE 100K Rads (Si) 0.044 45A Low-Ohmic TO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applica

 8.2. Size:175K  international rectifier
 irhmk57160.pdf pdf_icon

IRHMK597160

PD-97415RADIATION HARDENED IRHMK57160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELTECHNOLOGYSURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA)55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMK57160 100K Rads (Si) 0.013 45A* IRHMK53160 300K Rads (Si) 0.013 45A* IRHMK54160 500K Rads (Si) 0.013 45A*Low-Ohmic IRHMK58160 1000K Rads (Si) 0.013 45A*TO-254AA TablessIntern

Otros transistores... IRHMB57064 , IRHMB57260SE , IRHMB57Z60 , IRHMJ57160 , IRHMJ57260SE , IRHMJ7250 , IRHMK57160 , IRHMK57260SE , IRFB31N20D , IRHMS57064 , IRHMS57160 , IRHMS57163SE , IRHMS57260SE , IRHMS57264SE , IRHMS57Z60 , IRHMS597064 , IRHMS597160 .

History: HCD65R830 | IPP08CNE8NG

 

 
Back to Top

 


 
.