IRH7230 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH7230

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRH7230 datasheet

 ..1. Size:433K  international rectifier
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IRH7230

PD - 91801B IRH7230 IRH7230 IRH7230 RADIATION HARDENED IRH7230 RADIATION HARDENED IRH7230 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL

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IRH7230

PD - 90697E IRH7250 RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AA/AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRH7250 100K Rads (Si) 0.11 26A IRH3250 300K Rads (Si) 0.11 26A IRH4250 600K Rads (Si) 0.11 26A IRH8250 1000K Rads (Si) 0.11 26A TO-204AE International Rectifier s RADHard HEXFET te

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IRH7230

PD - 91778A RADIATION HARDENED IRH7250SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRH7250SE 100K Rads (Si) 0.10 26A TO-204AE International Rectifier s RADHardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features for space applications. This technolog

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