IRH7250 Todos los transistores

 

IRH7250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRH7250

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 140 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 850 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRH7250 Datasheet (PDF)

1.1. irh7250se.pdf Size:117K _international_rectifier

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PD - 91778A RADIATION HARDENED IRH7250SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRH7250SE 100K Rads (Si) 0.10Ω 26A TO-204AE International Rectifier’s RADHardTM HEXFET® MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features: for space applications. This technolog

1.2. irh7250.pdf Size:258K _international_rectifier

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PD - 90697E IRH7250 RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET ® RAD Hard™ HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (T0-204AA/AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRH7250 100K Rads (Si) 0.11Ω 26A IRH3250 300K Rads (Si) 0.11Ω 26A IRH4250 600K Rads (Si) 0.11Ω 26A IRH8250 1000K Rads (Si) 0.11Ω 26A TO-204AE International Rectifier’s RADHard HEXFET® te

 5.1. irh7230.pdf Size:433K _international_rectifier

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PD - 91801B IRH7230 IRH7230 IRH7230 RADIATION HARDENED IRH7230 RADIATION HARDENED IRH7230 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET ® RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOL

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