IRH7250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRH7250
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRH7250

IRH7250 Datasheet (PDF)

..1. Size:258K international rectifier
irh7250.pdf

PD - 90697EIRH7250RADIATION HARDENED200V, N-CHANNELPOWER MOSFETRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (T0-204AA/AE)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) I D IRH7250 100K Rads (Si) 0.11 26A IRH3250 300K Rads (Si) 0.11 26A IRH4250 600K Rads (Si) 0.11 26A IRH8250 1000K Rads (Si) 0.11 26ATO-204AEInternational Rectifiers RADHard HEXFET te

0.1. Size:117K international rectifier
irh7250se.pdf

PD - 91778ARADIATION HARDENED IRH7250SEPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRH7250SE 100K Rads (Si) 0.10 26ATO-204AEInternational Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technolog

9.1. Size:433K international rectifier
irh7230.pdf

PD - 91801BIRH7230IRH7230IRH7230RADIATION HARDENED IRH7230RADIATION HARDENED IRH7230RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOL

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