IRFM210BTFFP001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFM210BTFFP001
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.77 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFM210BTFFP001

IRFM210BTFFP001 Datasheet (PDF)

4.1. Size:703K fairchild semi
irfm210btf fp001.pdf

November 2001IRFM210B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.77A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fas

7.1. Size:949K samsung
irfm210a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 0.77 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V2 Low RDS(ON) : 1.169 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va

8.1. Size:973K samsung
irfm214a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 0.64 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V2 Lower RDS(ON) : 1.393 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: