IRFIZ14GPBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFIZ14GPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFIZ14GPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFIZ14GPBF datasheet

..1. Size:1001K international rectifier
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IRFIZ14G, SiHFIZ14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* f = 60 Hz) COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.1 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.8 Dynamic dv/dt Rating Configur

6.1. Size:159K international rectifier
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Document Number 90224 www.vishay.com 851 Document Number 90224 www.vishay.com 852 Document Number 90224 www.vishay.com 853 Document Number 90224 www.vishay.com 854 Document Number 90224 www.vishay.com 855 Document Number 90224 www.vishay.com 856 Legal Disclaimer Notice Vishay Notice The products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as part o

6.2. Size:1000K vishay
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7.1. Size:273K 1
irfwz14a irfiz14a.pdf pdf_icon

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