IRFB7534 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFB7534
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 294 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 VQgⓘ - Carga de la puerta: 186 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 134 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 921 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IRFB7534 MOSFET
IRFB7534 Datasheet (PDF)
irfb7534 irfs7534pbf irfsl7534pbf.pdf

StrongIRFET IRFB7534PbF IRFS7534PbF IRFSL7534PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.0m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.4mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 232A
irfb7534.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFB7534IIRFB7534FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.4mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM
irfb7537 irfs7537pbf irfsl7537pbf.pdf

StrongIRFET IRFB7537PbF IRFS7537PbF IRFSL7537PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications D VDSS 60V BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 2.75m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications max 3.30m Resonant mode power sup
irfb7530 irfs7530pbf irfsl7530pbf.pdf

StrongIRFET IRFB7530PbF IRFS7530PbF IRFSL7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 295A
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