IRFR020PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR020PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 58 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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IRFR020PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfr020pbf.pdf Size:1076K _upd

IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.10 • Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 25 • Surface Mount (IRFR020, SiHFR020) Qgs (nC) 5.8 • Available in Tape and Reel • Fast Switching Qgd (nC) 11 • Ease of Paralleling Configuration

3.1. irfr020.pdf Size:1391K _international_rectifier

PD- 97064 IRFR020 HEXFET� Power MOSFET � Dynamic dv/dt Rating � Surface Mount (IRFR020) � Available in Tape & Reel � Fast Switching � Ease of Paralleling � Simple Drive Requirements D S D G D-Pak IRFR020 GDS Absolute Maximum Ratings Gate Drain Source 11/16/05 Document Number: 90335 www.vishay.com 1 IRFR020 Document Number: 90335 www.vishay.com 2 IRFR020 Document Number:

3.2. irfr020 irfu020 sihfr020 sihfu020.pdf Size:1051K _vishay

IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY � Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.10 � Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 25 � Surface Mount (IRFR020, SiHFR020) Qgs (nC) 5.8 � Available in Tape and Reel � Fast Switching Qgd (nC) 11 � Ease of Paralleling Configuration Single � Simple

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Liste

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