IRFR020PBF Todos los transistores

 

IRFR020PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR020PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IRFR020PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1076K  vishay
 irfr020pbf irfu020pbf sihfr020 sihfu020.pdf pdf_icon

IRFR020PBF

IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 25 Surface Mount (IRFR020, SiHFR020)Qgs (nC) 5.8 Available in Tape and Reel Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration

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 irfu020 irfu022 irfu024 irfu025 irfr020 irfr022 irfr024 irfr025.pdf pdf_icon

IRFR020PBF

 7.2. Size:1391K  international rectifier
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IRFR020PBF

PD- 97064IRFR020HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Surface Mount (IRFR020) Available in Tape & Reel Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive RequirementsDSDGD-PakIRFR020GDSAbsolute Maximum RatingsGate Drain Source11/16/05Document Number: 90335 www.vishay.com1IRFR020Document Number: 90335 www.vishay.com2IRFR020D

 7.3. Size:1051K  vishay
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IRFR020PBF

IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 25 Surface Mount (IRFR020, SiHFR020)Qgs (nC) 5.8 Available in Tape and Reel Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration

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