IRFR020PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFR020PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de IRFR020PBF MOSFET
IRFR020PBF Datasheet (PDF)
irfr020pbf irfu020pbf sihfr020 sihfu020.pdf
IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 25 Surface Mount (IRFR020, SiHFR020)Qgs (nC) 5.8 Available in Tape and Reel Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration
irfr020.pdf
PD- 97064IRFR020HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Surface Mount (IRFR020) Available in Tape & Reel Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive RequirementsDSDGD-PakIRFR020GDSAbsolute Maximum RatingsGate Drain Source11/16/05Document Number: 90335 www.vishay.com1IRFR020Document Number: 90335 www.vishay.com2IRFR020D
irfr020 irfu020 sihfr020 sihfu020.pdf
IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 25 Surface Mount (IRFR020, SiHFR020)Qgs (nC) 5.8 Available in Tape and Reel Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration
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History: FDS2170N7
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