IRFR020PBF Todos los transistores

 

IRFR020PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR020PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IRFR020PBF datasheet

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IRFR020PBF

IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 25 Surface Mount (IRFR020, SiHFR020) Qgs (nC) 5.8 Available in Tape and Reel Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration ... See More ⇒

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IRFR020PBF

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IRFR020PBF

PD- 97064 IRFR020 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Surface Mount (IRFR020) Available in Tape & Reel Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements D S D G D-Pak IRFR020 GDS Absolute Maximum Ratings Gate Drain Source 11/16/05 Document Number 90335 www.vishay.com 1 IRFR020 Document Number 90335 www.vishay.com 2 IRFR020 D... See More ⇒

 7.3. Size:1051K  vishay
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IRFR020PBF

IRFR020, IRFU020, SiHFR020, SiHFU020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 25 Surface Mount (IRFR020, SiHFR020) Qgs (nC) 5.8 Available in Tape and Reel Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration ... See More ⇒

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