IRFR120ATM Todos los transistores

 

IRFR120ATM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR120ATM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IRFR120ATM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  international rectifier
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IRFR120ATM

IRFR/U120AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKA (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

 6.1. Size:256K  fairchild semi
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IRFR120ATM

IRFR/U120AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD-PAK I-PAKA (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

 6.2. Size:499K  samsung
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IRFR120ATM

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

 7.1. Size:369K  1
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IRFR120ATM

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History: HFW5N60S | 2SK2401 | AOTS26108 | 2P985B-2

 

 
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