IXZR16N60A Todos los transistores

 

IXZR16N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXZR16N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.53 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
 

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IXZR16N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ixys
 ixzr16n60a ixzr16n60b.pdf pdf_icon

IXZR16N60A

IXZR16N60 & IXZR16N60A/B Z-MOS RF Power MOSFET NChannel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Qg and Rg Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V High dv/dt Optimized for RF Operation Nanosecond Switching Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A Symbol Test Conditions Maximum Ratings RDS(on) 0.56

 9.1. Size:160K  ixys
 ixzr18n50a ixzr18n50b.pdf pdf_icon

IXZR16N60A

IXZR18N50 & IXZR18N50A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) 0.37 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25C to 150C VDSS 500 V PDC = 350 W TJ = 25C to 150C; RGS

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History: BRF4N80 | PB600BX | KQB2N50 | IPA90R1K2C3 | OSG80R250HF | DMN2046U | VBA4670

 

 
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