IXTP6N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTP6N60A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTP6N60A
IXTP6N60A Datasheet (PDF)
ixta6n50d2 ixtp6n50d2 ixth6n50d2.pdf
Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 500VIXTA6N50D2MOSFET ID(on) > 6AIXTP6N50D2 RDS(on) 500m IXTH6N50D2N-ChannelTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 300 WGDD (Tab)TJ - 55 .
ixta6n50p ixtp6n50p.pdf
VDSS = 500 VIXTA 6N50PPolarHVTMID25 = 6 AIXTP 6N50PPower MOSFET RDS(on) 1.1 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuous 30 VGSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25 C6 A
ixta6n100d2-ixtp6n100d2-ixth6n100d2.pdf
Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTA6N100D2MOSFET ID(on) > 6AIXTP6N100D2 RDS(on) 2.2 IXTH6N100D2N-ChannelTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 300 WGDD (Tab)TJ -
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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