IXTP6N60 Todos los transistores

 

IXTP6N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP6N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXTP6N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  ixys
 ixtm6n60 ixtm6n60a ixtp6n60 ixtp6n60a.pdf pdf_icon

IXTP6N60

 8.1. Size:206K  ixys
 ixta6n50d2 ixtp6n50d2 ixth6n50d2.pdf pdf_icon

IXTP6N60

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 500VIXTA6N50D2MOSFET ID(on) > 6AIXTP6N50D2 RDS(on) 500m IXTH6N50D2N-ChannelTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 300 WGDD (Tab)TJ - 55 .

 8.2. Size:229K  ixys
 ixta6n50p ixtp6n50p.pdf pdf_icon

IXTP6N60

VDSS = 500 VIXTA 6N50PPolarHVTMID25 = 6 AIXTP 6N50PPower MOSFET RDS(on) 1.1 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuous 30 VGSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25 C6 A

 8.3. Size:184K  ixys
 ixta6n100d2-ixtp6n100d2-ixth6n100d2.pdf pdf_icon

IXTP6N60

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTA6N100D2MOSFET ID(on) > 6AIXTP6N100D2 RDS(on) 2.2 IXTH6N100D2N-ChannelTO-263 AA (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 300 WGDD (Tab)TJ -

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History: P2610ADG | 2SJ293 | 2SK135 | 2SK1603 | AUIRFZ24NS | SI1029X | 2SK4075B

 

 
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