IXTN102N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTN102N65X2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 595 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-227B
Búsqueda de reemplazo de IXTN102N65X2 MOSFET
IXTN102N65X2 Datasheet (PDF)
ixtn102n65x2.pdf
Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTN102N65X2Power MOSFET ID25 = 76A RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOCFast Intrinsic DiodeE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Continuous 30 VDVG
ixtn110n20l2.pdf
Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 200V IXTN110N20L2 MOSFET w/Extended ID25 = 100A 24m FBSOA RDS(on) N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VVGSS Co
ixtn120p20t.pdf
Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTN120P20TPower MOSFETs ID25 = - 106A RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOCFast Intrinsic RectifierE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -
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