IXTM4N100A MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IXTM4N100A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTM4N100A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm

Encapsulados: TO3

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IXTM4N100A datasheet

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8.2. Size:64K ixys
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ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Tra

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