IXTM3N80A Todos los transistores

 

IXTM3N80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTM3N80A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IXTM3N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  ixys
 ixtm3n80 ixtm3n80a ixtm3n90 ixtm3n90a ixtp3n80 ixtp3n80a ixtp3n90 ixtp3n90a.pdf pdf_icon

IXTM3N80A

 9.1. Size:55K  ixys
 ixth35n30 ixtm35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM3N80A

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFETIXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VVGSM Tra

Otros transistores... IXTM4N50A , IXTM4N50 , IXTM4N45A , IXTM4N45 , IXTM4N100A , IXTM4N100 , IXTM3N90A , IXTM3N90 , STP80NF70 , IXTM3N80 , IXTM2N95A , IXTM2N95 , IXTM2N100A , IXTM2N100 , IXTM15N50A , IXTM15N45A , IXTM12N50 .

History: HGI120N10AL | APM2309AC | STU70N2LH5 | CHM5506JGP | SI2307A | PMCXB900UE | RSS090P03FU6TB

 

 
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