IXTH2N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTH2N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTH2N150

IXTH2N150 Datasheet (PDF)

..1. Size:140K ixys
ixth2n150.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTH2N150ID25 = 2APower MOSFET RDS(on) 9.2 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VGDTabVGSS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 VG

0.1. Size:109K ixys
ixth2n150l.pdf

Advance Technical InformationLinearTM Power MOSFET VDSS = 1500VIXTH2N150LID25 = 2Aw/Extended FBSOA RDS(on) 15 N-Channel Enhancement ModeGuaranteed FBSOAAvalanche RatedTO-247GD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsG = Gate D = DrainVDSS TJ = 25C to 150C 1500 V S = Source Tab = DrainVDGR TJ = 25C to 150C

7.1. Size:172K ixys
ixth2n170d2 ixtt2n170d2.pdf

Depletion Mode VDSX = 1700VIXTT2N170D2MOSFETs ID(on) > 2AIXTH2N170D2 RDS(on) 6.5 N-ChannelTO-268 (IXTT)GSD (Tab)TO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1700 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1700 VVGSX Continuous 20 VGVGSM Transient 30 VDD (Tab)SPD TC = 25C 568 WG = Gate

8.1. Size:202K ixys
ixth2n300p3hv ixtt2n300p3hv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTT2N300P3HVPower MOSFETID25 = 2AIXTH2N300P3HV RDS(on) 21 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 3000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS Continuous 20 VV

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: