IXTA4N150HV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTA4N150HV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de IXTA4N150HV MOSFET
IXTA4N150HV Datasheet (PDF)
ixta4n150hv.pdf

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC
ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf

IXTA4N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTP4N60P ID25 = 4 APower MOSFETIXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeIXTY4N60PAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V
Otros transistores... IXTH04N300P3HV , IXTH02N450HV , IXTF1N450 , IXTF02N450 , IXTA8N65X2 , IXTA80N075L2 , IXTA64N10L2 , IXTA4N65X2 , 8205A , IXTA3N150HV , IXTA3N120TRL , IXTA3N120HV , IXTA3N100D2HV , IXTA270N04T4 , IXTA20N65X , IXTA1N200P3HV , IXTA1N170DHV .
History: VST012N06MS | VP3203N3 | AP6N1R7CDT | AP4501AGEM-HF | SPI21N50C3 | PMV20XNE | GP2M007A065XG
History: VST012N06MS | VP3203N3 | AP6N1R7CDT | AP4501AGEM-HF | SPI21N50C3 | PMV20XNE | GP2M007A065XG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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