IXTA4N150HV Todos los transistores

 

IXTA4N150HV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTA4N150HV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTA4N150HV MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTA4N150HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  ixys
ixta4n150hv.pdf pdf_icon

IXTA4N150HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 8.1. Size:238K  ixys
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTA4N150HV

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 8.2. Size:313K  ixys
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf pdf_icon

IXTA4N150HV

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

 8.3. Size:141K  ixys
ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf pdf_icon

IXTA4N150HV

IXTA4N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTP4N60P ID25 = 4 APower MOSFETIXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeIXTY4N60PAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V

Otros transistores... IXTH04N300P3HV , IXTH02N450HV , IXTF1N450 , IXTF02N450 , IXTA8N65X2 , IXTA80N075L2 , IXTA64N10L2 , IXTA4N65X2 , 8205A , IXTA3N150HV , IXTA3N120TRL , IXTA3N120HV , IXTA3N100D2HV , IXTA270N04T4 , IXTA20N65X , IXTA1N200P3HV , IXTA1N170DHV .

History: VST012N06MS | VP3203N3 | AP6N1R7CDT | AP4501AGEM-HF | SPI21N50C3 | PMV20XNE | GP2M007A065XG

 

 
Back to Top

 


 
.