IXTA1N170DHV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTA1N170DHV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 16 Ohm

Encapsulados: TO-263HV

 Búsqueda de reemplazo de IXTA1N170DHV MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTA1N170DHV datasheet

 ..1. Size:238K  ixys
 ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdf pdf_icon

IXTA1N170DHV

Advance Technical Information Depletion Mode VDSX = 1700V IXTA1N170DHV MOSFET ID(on) > 1A IXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-Channel TO-263HV (IXTA) G S D (Tab) TO-247HV (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSX TJ = 25 C to 150 C 1700 V VDGX TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1700 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V

 7.1. Size:95K  ixys
 ixta1n100p ixtp1n100p.pdf pdf_icon

IXTA1N170DHV

Advance Technical Information IXTA 1N100P VDSS = 1000 V PolarHVTM IXTP 1N100P ID25 = 1.2 A Power MOSFET RDS(on) = 13 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V S (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C

 7.2. Size:535K  ixys
 ixta1n100 ixtp1n100.pdf pdf_icon

IXTA1N170DHV

VDSS = 1000 V IXTA 1N100 High Voltage MOSFET IXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 30 V D (TAB) G VGSM Transient 40 V D S ID25 TC = 25 C 1.5 A IDM TC =

 7.3. Size:202K  inchange semiconductor
 ixta1n100p.pdf pdf_icon

IXTA1N170DHV

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA1N100P FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXTA4N150HV, IXTA3N150HV, IXTA3N120TRL, IXTA3N120HV, IXTA3N100D2HV, IXTA270N04T4, IXTA20N65X, IXTA1N200P3HV, 5N65, IXTA180N055T, IXTA15N50L2, IXTA130N10T-TRL, IXTA12N65X2, IXTA08N100D2HV, IXTA05N100HV, IXTA02N450HV, IXTA02N250HV