IXFT9N80Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFT9N80Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO-268

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IXFT9N80Q datasheet

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IXFT9N80Q

IXFH 9N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 9N80Q ID25 = 9 A Power MOSFETs RDS(on) = 1.1 Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transi

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IXFT9N80Q

IXFH 96N20P PolarHTTM HiPerFET VDSS = 200 V IXFT 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXFV 96N20P RDS(on) 24 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V

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IXFT9N80Q

Preliminary Technical Information TrenchTM HiperFETTM VDSS = 300V IXFT94N30T Power MOSFETs ID25 = 94A IXFH94N30T RDS(on) 36m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268 (IXFT) Fast Intrinsic Rectifier G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300 V TO-247 (I

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IXFT9N80Q

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 300V IXFT94N30P3 ID25 = 94A Power MOSFETs IXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3 N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C

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